C3M0280090J Scheda dati
Specifiche per C3M0280090J
Numero parte :
C3M0280090J
fabbricante :
Cree/Wolfspeed
Descrizione :
MOSFET N-CH 900V 11A
Serie :
C3M™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
9.5nC @ 15V
Vgs (massimo) :
+18V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 600V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
50W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D2PAK-7
Pacchetto / caso :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-C3M0280090J
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 900V 11A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
194832 pezzi
Prezzo di riferimento
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