BVSS138LT1G Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Specifiche per BVSS138LT1G

Numero parte : BVSS138LT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 225mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

BVSS138LT1G

Numero parte interna

ABC-BVSS138LT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6954003 pezzi

Prezzo di riferimento

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