BUZ73ALHXKSA1 Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Specifiche per BUZ73ALHXKSA1

Numero parte : BUZ73ALHXKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 40W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-3

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

BUZ73ALHXKSA1

Numero parte interna

ABC-BUZ73ALHXKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

52000 pezzi

Prezzo di riferimento

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