BUK9C1R3-40EJ Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 40V D2PAK

Specifiche per BUK9C1R3-40EJ

Numero parte : BUK9C1R3-40EJ

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 40V D2PAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 190A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 90A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK-7

Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

BUK9C1R3-40EJ

Numero parte interna

ABC-BUK9C1R3-40EJ

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 40V D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

58920 pezzi

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