BUK7C3R8-80EJ Scheda dati
Specifiche per BUK7C3R8-80EJ
Numero parte :
BUK7C3R8-80EJ
fabbricante :
NXP USA Inc.
Descrizione :
MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (massimo) :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
-
temperatura di esercizio :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D2PAK-7
Pacchetto / caso :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-BUK7C3R8-80EJ
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
46085 pezzi
Prezzo di riferimento
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