Specifiche per BSS192PE6327T

Numero parte : BSS192PE6327T
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Serie : SIPMOS®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 190mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 104pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-SOT89
Pacchetto / caso : TO-243AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
104656 pezzi
Prezzo di riferimento
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