APTM50DAM19G Scheda dati
Specifiche per APTM50DAM19G
Numero parte :
APTM50DAM19G
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
163A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22.5 mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
492nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
22400pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1136W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SP6
Pacchetto / caso :
SP6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-APTM50DAM19G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
44370 pezzi
Prezzo di riferimento
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