APTM120H140FT1G Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

Specifiche per APTM120H140FT1G

Numero parte : APTM120H140FT1G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.68 Ohm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 145nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3812pF @ 25V

Potenza - Max : 208W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : SP1

Pacchetto dispositivo fornitore : SP1

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

APTM120H140FT1G

Numero parte interna

ABC-APTM120H140FT1G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

71904 pezzi

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APTM120H140FT1G Scheda dati

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