APT56M60B2 Scheda dati
Specifiche per APT56M60B2
Numero parte :
APT56M60B2
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
Serie :
POWER MOS 8™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
280nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
11300pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1040W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-247 [B]
Pacchetto / caso :
TO-247-3 Variant
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-APT56M60B2
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
58374 pezzi
Prezzo di riferimento
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