APT30M19JVFR Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Specifiche per APT30M19JVFR

Numero parte : APT30M19JVFR

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Serie : POWER MOS V®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 130A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 975nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 21600pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 700W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : ISOTOP®

Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

APT30M19JVFR

Numero parte interna

ABC-APT30M19JVFR

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

47296 pezzi

Prezzo di riferimento

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