ALD111933PAL Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Specifiche per ALD111933PAL

Numero parte : ALD111933PAL

fabbricante : Advanced Linear Devices Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Serie : EPAD®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5.9V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.35V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V

Potenza - Max : 500mW

temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : 8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PDIP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

ALD111933PAL

Numero parte interna

ABC-ALD111933PAL

fabbricante

Advanced Linear Devices Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

202752 pezzi

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