A2G35S200-01SR3 Scheda dati
Specifiche per A2G35S200-01SR3
Numero parte :
A2G35S200-01SR3
fabbricante :
NXP USA Inc.
Descrizione :
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Serie :
-
Stato parte :
Active
Transistor Type :
LDMOS
Frequenza :
3.4GHz ~ 3.6GHz
Guadagno :
16.1dB
Tensione - Test :
48V
Valutazione attuale :
-
Figura di rumore :
-
Corrente - Test :
291mA
Potenza - Uscita :
180W
Tensione: nominale :
125V
Pacchetto / caso :
NI-400S-2S
Pacchetto dispositivo fornitore :
NI-400S-2S
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-A2G35S200-01SR3
fabbricante
Breve descrizione
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
38556 pezzi
Prezzo di riferimento
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