Specifiche per 5LN01M-TL-E

Numero parte : 5LN01M-TL-E
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 50V 0.1A
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.57nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6.6pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 150mW (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 3-MCP
Pacchetto / caso : SC-70, SOT-323
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 50V 0.1A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
81536 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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