2SK3666-2-TB-E Scheda dati
Specifiche per 2SK3666-2-TB-E
Numero parte :
2SK3666-2-TB-E
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
JFET NCH 30V 200MW 3CP
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
600µA @ 10V
Scarico corrente (Id) - max :
10mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id :
180mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4pF @ 10V
Resistenza - RDS (On) :
200 Ohms
Potenza - Max :
200mW
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore :
3-CP
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-2SK3666-2-TB-E
fabbricante
Breve descrizione
JFET NCH 30V 200MW 3CP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
7565579 pezzi
Prezzo di riferimento
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