2N7636-GA Scarica la scheda tecnica in PDF - TRANS SJT 650V 4A TO276

Specifiche per 2N7636-GA

Numero parte : 2N7636-GA

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : TRANS SJT 650V 4A TO276

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : -

Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc) (165°C)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 415 mOhm @ 4A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 324pF @ 35V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 225°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-276

Pacchetto / caso : TO-276AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

2N7636-GA

Numero parte interna

ABC-2N7636-GA

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

TRANS SJT 650V 4A TO276

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

66016 pezzi

Prezzo di riferimento

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